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2007年10月24日

Samsung、世界初となる「30nmプロセス60Gb」のNANDフラッシュチップ開発

64Gb_NAND_Flash

 Samsung Electronicsでは、30nmプロセス技術を使った、世界初となる60GbレベルセルNANDフラッシュメモリチップを開発したことを発表しました。

 このフラッシュメモリは、最大で16の64Gbフラッシュデバイスを使い、128GBのフラッシュメモリカードを作ることができるとのこと。また、このフラッシュメモリは-aligned double patterning technology (SaDPT)と呼ばれる新しい技術を使って開発されたとのことです。

ちなみにこの製品は、2009年から製造を開始し商品化されるようですけど、コレ等によってフラッシュメモリの価格が下がって、早いとこHDDの代わりに低価格でSSDがノートPCに標準搭載されるようになってくれたらイイですねぇ(´Д`;)

■リンク
 SCI FI Tech
 ニュースリリース


posted by お調子者 at 12:56 | Comment(0) | TrackBack(0) | IT・PC関連




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